Tungsten သည် သတ္တုအားလုံး၏ အမြင့်ဆုံး အရည်ပျော်မှတ်ဖြစ်ပြီး သိသိသာသာ ပျော့ပျောင်းမှု ပမာဏ မြင့်မားသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောအပူဂုဏ်သတ္တိကြောင့် tungsten သည် အမြင့်ဆုံးအပူချိန်ကိုပင် အလွယ်တကူခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ Tungsten သည် ၎င်း၏အတော်လေးသိပ်သည်းဆမြင့်မားသည့်အတွက် ထင်ရှားသောကြောင့် လေကြောင်းနှင့်အာကာသစက်မှုလုပ်ငန်း၊ လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာကဏ္ဍနှင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင်ကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာအသုံးချပရိုဂရမ်များစွာတွင် အသုံးပြုပါသည်။
နှစ် 100 ကျော်ကြာ Tungsten ၏အဓိကအသုံးချမှုမှာ မီးလုံးများတွင် အမျှင်ဓာတ်အဖြစ် တည်ရှိနေပါသည်။ ပိုတက်စီယမ်-အလူမီနီယမ်ဆီလီကိတ်ပမာဏ အနည်းငယ်ဖြင့် ရောထားသော၊ တန်စတင်အမှုန့်ကို ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ သန်းပေါင်းများစွာသော အိမ်များတွင် အလင်းပေးသော မီးသီးများ၏ အလယ်ဗဟိုတွင်ရှိသော ဝါယာကြိုးများကို ထုတ်ပေးရန်အတွက် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် သန့်စင်ထားသည်။
မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ၎င်း၏ပုံသဏ္ဍာန်ကို ထိန်းထားနိုင်သောကြောင့် tungsten ၏စွမ်းရည်ကြောင့် ယခုအခါတွင် မီးအိမ်များ၊ မီးဖိုများ၊ လျှပ်စစ်မီးဖိုများ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်များနှင့် x-ray ပြွန်များအပါအဝင် အိမ်သုံးအသုံးအဆောင်များတွင် tungsten အမျှင်များကို အသုံးပြုကြသည်။
ပြင်းထန်သောအပူကို သတ္တု၏ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည်လည်း လျှပ်စစ် arc မီးဖိုများနှင့် ဂဟေဆက်သည့်ပစ္စည်းများရှိ သာမိုကော့ပ်များနှင့် လျှပ်စစ်အဆက်အသွယ်များအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။ တန်ပြန်အလေးချိန်များ၊ ငါးဖမ်းစက်များနှင့် ဒန်းများကဲ့သို့သော စုစည်းထုထည် သို့မဟုတ် အလေးချိန် လိုအပ်သည့် အပလီကေးရှင်းများသည် ၎င်း၏သိပ်သည်းဆကြောင့် တန်စတင်ကို အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
သန့်စင်မှု > 99.98% ဖြင့် ၎င်းကို semiconductor ion implantation အစိတ်အပိုင်းများ၊ အပူဒြပ်စင်များ၊ sputtering ပစ်မှတ်များ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၊ အပူချိန်မြင့်သော ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ၊ crystal crucibles၊ တန်ပြန်အလေးချိန်၊ radiation shielding၊ power device heat dissipation နှင့် အခြားအချိန်များတွင် အသုံးများပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ တန်စတင်ထုတ်ကုန်များကို သတ္တုအမှုန့်မှ ကုန်ချောထုတ်ကုန်အထိ ထုတ်လုပ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသန့်စင်ဆုံး တန်စတင်အောက်ဆိုဒ်ကို အရင်းအမြစ်ပစ္စည်းအဖြစ်သာ အသုံးပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် 8N အထိ သန့်စင်မှုမြင့်မားသော တန်စတင်ထုတ်ကုန်များကို ပေးဆောင်ပါသည်။
အောက်ဆီဂျင် ရှားပါးသော မြေကြီး တန်စတင် (W-REO)
Oxidized rare earth tungsten (WLa, WCe, WTh, WY နှင့် အခြားရှားပါးမြေကြီးသတ္တုစပ်များ) သည် သန့်စင်သော tungsten ထက် အစွမ်းထက်ပြီး အထူးစွန့်ထုတ်နိုင်စွမ်းရှိပြီး လျှပ်ကူးပစ္စည်းအမျိုးမျိုးတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်- TIG ဂဟေဆော်ခြင်း၊ ပလာစမာဂဟေဆော်ခြင်း၊ ပလာစမာဂဟေဆော်ခြင်း၊ ပလာစမာဖြန်းဆေးအလွှာများ၊ ပလာစမာ အရည်ကျိုခြင်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု အလင်းရင်းမြစ်၊ ၎င်းကို အပူချိန်မြင့်သော အဆောက်အဦဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများတွင်လည်း အသုံးပြုသည်။
Lanthanated tungsten သည် oxidized lanthanum doped tungsten alloy ဖြစ်သည်။ ပြန့်ကျဲနေသော လသနမ်အောက်ဆိုဒ်ကို ပေါင်းထည့်သောအခါ၊ lanthanated tungsten သည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူခံနိုင်ရည်၊ အပူစီးကူးမှု၊ တွားသွားခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မြင့်မားသော ပြန်လည်ပုံသွင်းထားသည့် အပူချိန်ကို ပြသသည်။ ဤထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများသည် lanthanated tungsten လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို arc စတင်နိုင်စွမ်း၊ arc erosion resistance နှင့် arc stability နှင့် controllability တို့တွင် ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရရှိစေရန် ကူညီပေးပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့တွင် W-La၊ W-Ce၊ WY၊ W-Th နှင့် အခြားသော oxidized ရှားပါးသော tungsten တို့ကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် စွမ်းရည်ရှိသည်။ ၎င်းတို့ကို အသုံးချမှုများစွာတွင် electrodes နှင့် cathodes အဖြစ် အဓိကအသုံးပြုကြသည်။ အဖြိုက်စတင်တွင် ထည့်ထားသော အောက်ဆိုဒ်များသည် ပြန်လည်ပေါင်းစည်းမှုအပူချိန်ကို တိုးမြင့်စေပြီး တစ်ချိန်တည်းတွင် tungsten electrode ၏ အီလက်ထရွန်လုပ်ဆောင်မှုလုပ်ဆောင်ချက်ကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုအဆင့်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
ပိုတက်စီယမ်-ဆေးဆိုးထားသော အဖြိုက်စတင် (Tungsten-potassium သို့မဟုတ် WK)
ပိုတက်ဆီယမ် (K) -doped W တွင် ppm ၏ အစီအစဥ်တွင် နာနိုပူဖောင်းများ ပါ၀င်သော စပါးနယ်နိမိတ်များ ရွေ့လျားမှုကို ဟန့်တားနိုင်ပြီး ၎င်းတို့သည် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ခိုင်ခံ့စေပြီး ပြန်လည်ပုံသွင်းခြင်းအား ဖိနှိပ်ကာ သန့်စင်သော W. ဤစပါးမျိုးနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုသေးငယ်သော အစေ့များကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ သန့်စင်ခြင်းသည်လည်း သန်မာမှုနှင့် တင်းမာမှုကို ဖြစ်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ နျူထရွန်ဓာတ်ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုမှ ဖြစ်ပေါ်လာသော ချို့ယွင်းချက်များအတွက် ကောက်နှံနယ်နိမိတ်များ အများအပြားပါ၀င်သောကြောင့် ၎င်းတွင် နျူထရွန်ဓာတ်ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုမှ ဖြစ်ပေါ်လာသော ချို့ယွင်းချက်များအတွက် K-doped W နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နျူထရွန်ဓာတ်ရောင်ခြည်သုံး embrittlement ကို နှိမ်နင်းနိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
Tungsten (W) သည် ၎င်း၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်သည့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်အိုင်ဆိုတုပ်ထိန်းသိမ်းမှု၊ နှောင့်ယှက်မှုနည်းခြင်းနှင့် အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားခြင်းတို့ကြောင့် ပလာစမာ-မျက်နှာပစ္စည်းများ (PFMs) တို့တွင် အလားအလာအရှိဆုံး ကိုယ်စားလှယ်လောင်းများထဲမှ တစ်ခုအဖြစ် သတ်မှတ်ခံရပါသည်။ သို့သော်၊ မြင့်မားသော ductile-to-brittle transition temperature (DBTT) ကဲ့သို့သော အားနည်းချက်များ၊ အပူချိန်နိမ့်နိမ့်တွင် ကြွပ်ဆတ်မှုနှင့် နျူထရွန်ဓာတ်ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုကြောင့် ကြွပ်ဆတ်မှုသည် tungsten ၏ အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာအသုံးချမှုအတွက် အတားအဆီးများဖြစ်သည်။ ductile dopants ပါသော W-based သတ္တုစပ်ဒီဇိုင်းများသည် အဆိုပါအားနည်းချက်များကို လျော့ပါးသက်သာစေရန် ထိရောက်သောနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပိုတက်စီယမ်ဆေးသည် အဖြိုက်စတင်ပါးလွှာသောဝိုင်ယာကြိုးများတွင် စပါးကြီးထွားမှုကို 1900°C အထိထိန်းချုပ်ရာတွင် ဆင့်ပွားပြန်လည်ပုံသွင်းခြင်းအား နှိမ်နင်းရာတွင် ၎င်း၏ထိရောက်မှုကို သက်သေပြခဲ့ပြီးဖြစ်သောကြောင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ထူးကဲသောဂုဏ်သတ္တိများကိုပြသထားသည်။ ပိုတက်စီယမ်-ဆေး(K-doped) တန်စတင်အစုလိုက်အပြုံလိုက်ပစ္စည်းသည် ပလာစမာ-မျက်နှာပစ္စည်းအတွက် ဆွဲဆောင်မှုတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ K-doped tungsten သည် sparking plasma sintering (SPS) ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ကောင်းသောအပူစီးကူးမှုအပြင် RT မှ 50°C မှ အပူချိန်အထိ အပူချိန်တွင် ခိုင်မာသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုပြသထားကြောင်း သတင်းရရှိပါသည်။
အိမ်
