ටංස්ටන් සියලුම ලෝහවල ඉහළම ද්රවාංකය මෙන්ම ප්‍රත්‍යාස්ථතාවේ කැපී පෙනෙන ඉහළ මාපාංකයක් ඇත. එහි කැපී පෙනෙන තාප ගුණාංගවලට ස්තූතිවන්ත වන අතර, ටංස්ටන් පහසුවෙන් ඉහළම උෂ්ණත්වයන්ට පවා ඔරොත්තු දිය හැකිය. ටංස්ටන් එහි සාපේක්ෂ ඉහළ ඝනත්වය සඳහා ද කැපී පෙනෙන අතර එබැවින් ගුවන් සේවා සහ අභ්‍යවකාශ කර්මාන්ත, විදුලි ඉංජිනේරු අංශය සහ ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ වැනි පුළුල් පරාසයක කාර්මික යෙදුම්වල භාවිතා වේ.
වසර 100 කට වැඩි කාලයක් ටංස්ටන්ගේ මූලික යෙදුම තාපදීප්ත විදුලි බුබුළු වල සූත්‍රිකාව ලෙස පවතී. පොටෑසියම්-ඇලුමිනියම් සිලිකේට් කුඩා ප්‍රමාණයකින් මාත්‍රණය කරන ලද ටංස්ටන් කුඩු ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී සින්ටර් කර ලොව පුරා නිවාස මිලියන ගණනක් ආලෝකමත් කරන විදුලි බුබුළු මධ්‍යයේ ඇති කම්බි සූත්‍රිකාව නිපදවයි.
ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී එහි හැඩය තබා ගැනීමට ටංස්ටන් සතු හැකියාව හේතුවෙන්, ටංස්ටන් සූතිකා දැන් ලාම්පු, ගංවතුර ආලෝකය, විදුලි උදුන්හි තාපන මූලද්‍රව්‍ය, මයික්‍රෝවේව් සහ එක්ස් කිරණ නල ඇතුළු විවිධ ගෘහස්ත යෙදුම්වල ද භාවිතා වේ.
දැඩි තාපයට ලෝහයේ ඉවසීම, විදුලි චාප ඌෂ්මක සහ වෙල්ඩින් උපකරණවල තාපකූප සහ විද්යුත් සම්බන්ධතා සඳහාද එය වඩාත් සුදුසු වේ. සාන්ද්‍රිත ස්කන්ධයක් හෝ බරක් අවශ්‍ය වන යෙදුම්, ප්‍රති බර, ධීවර සින්කර් සහ ඩාර්ට්ස් වැනි බොහෝ විට එහි ඝනත්වය නිසා ටංස්ටන් භාවිතා කරයි.
>99.98% ක සංශුද්ධතාවයකින්, එය අර්ධ සන්නායක අයන තැන්පත් කිරීමේ සංරචක, තාපන මූලද්‍රව්‍ය, ඉසින ඉලක්ක, ඉලෙක්ට්‍රෝඩ, අධි-උෂ්ණත්ව ව්යුහාත්මක කොටස්, ස්ඵටික කෲසිබල්, ප්‍රති-බර, විකිරණ ආවරණ, බල උපාංග තාපය විසුරුවා හැරීම සහ වෙනත් අවස්ථා සඳහා බහුලව භාවිතා වේ.
අපි අපගේ ටංස්ටන් නිෂ්පාදන ලෝහ කුඩු සිට නිමි භාණ්ඩය දක්වා නිෂ්පාදනය කරමු. අපි ප්‍රභව ද්‍රව්‍ය ලෙස භාවිතා කරන්නේ පිරිසිදුම ටංස්ටන් ඔක්සයිඩ් පමණි. අපි 8N දක්වා සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ටංස්ටන් නිෂ්පාදන සපයන්නෙමු.
ඔක්සිකරණය වූ දුර්ලභ පෘථිවි ටංස්ටන් (W-REO)
ඔක්සිකරණය වූ දුර්ලභ පෘථිවි ටංස්ටන් (WLa, WCe, WTh, WY සහ අනෙකුත් දුර්ලභ පෘථිවි මිශ්ර ලෝහ) පිරිසිදු ටංස්ටන්ට වඩා වැඩි ශක්තියක් සහ විශේෂ විසර්ජන කාර්ය සාධනයක් ඇති අතර විවිධ ඉලෙක්ට්‍රෝඩවල බහුලව භාවිතා වේ: TIG වෙල්ඩින්, ප්ලාස්මා වෑල්ඩින්, ප්ලාස්මා වෑල්ඩින්, ප්ලාස්මා ඉසින ආලේපනය, ප්ලාස්මා උණු කිරීම සහ වායු විසර්ජන ආලෝක ප්රභවය; එය ඉහළ උෂ්ණත්ව ව්යුහාත්මක කොටස්වල ද භාවිතා වේ.
ලැන්තනේටඩ් ටංස්ටන් යනු ඔක්සිකරණය වූ ලැන්තනම් මාත්‍රණය කළ ටංස්ටන් මිශ්ර ලෝහයකි. විසුරුවා හරින ලද ලැන්තනම් ඔක්සයිඩ් එකතු කළ විට, ලැන්තනේටඩ් ටංස්ටන් වැඩි දියුණු කළ තාප ප්රතිරෝධය, තාප සන්නායකතාවය, රිංගා ප්රතිරෝධය සහ ඉහළ ප්‍රතිස්ඵටිකීකරණ උෂ්ණත්වය පෙන්වයි. චාප ආරම්භක හැකියාව, චාප ඛාදනය ප්රතිරෝධය, සහ චාප ස්ථායීතාවය සහ පාලනය කිරීමේ හැකියාවෙහි සුවිශේෂී කාර්ය සාධනයක් ලබා ගැනීමට මෙම කැපී පෙනෙන ගුණාංග ලැන්තනේටඩ් ටංස්ටන් ඉලෙක්ට්‍රෝඩවලට උපකාර කරයි.
W-La, W-Ce, WY, W-Th සහ අනෙකුත් ඔක්සිකරණය වූ දුර්ලභ පෘථිවි ටංස්ටන් නිෂ්පාදනය කිරීමට අපට හැකියාව ඇත. ඒවා බොහෝ යෙදුම්වල ප්‍රධාන වශයෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝඩ සහ කැතෝඩ ලෙස භාවිතා වේ. ටංස්ටන් වෙත එකතු කරන ලද ඔක්සයිඩ ප්‍රතිස්ඵටිකීකරණ උෂ්ණත්වය වැඩි කළ අතර, ඒ සමඟම, ටංස්ටන් ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ ඉලෙක්ට්රෝන ක්‍රියාකාරීත්වය අඩු කිරීමෙන් විමෝචන මට්ටම ප්‍රවර්ධනය කළේය.
පොටෑසියම් මාත්‍රණය කළ ටංස්ටන් (ටංස්ටන්-පොටෑසියම් හෝ WK)
පොටෑසියම් (K) මාත්‍රණය කළ ඩබ්ලිව් හි ppm අනුපිළිවෙලෙහි නැනෝ බුබුලු අඩංගු වේ, ධාන්ය මායිම් සහ විස්ථාපනයේ චලිතයට බාධා කළ හැකිය, ඒවා ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ශක්තිමත් වීමට සහ ප්‍රතිස්ඵටිකීකරණය යටපත් කිරීමට හේතු වන අතර පිරිසිදු W හා සසඳන විට සියුම් ධාන්ය නිපදවිය හැක. පිරිපහදු කිරීම ශක්තිමත් කිරීම සහ දැඩි කිරීම ද සිදු කරයි. එපමනක් නොව, නියුට්‍රෝන ප්‍රකිරණය මගින් ඇතිවන දෝෂ සඳහා සින්ක් ලෙස ක්‍රියා කරන ධාන්ය මායිම් විශාල ප්‍රමාණයක් එහි අඩංගු වන නිසා පිරිසිදු W හා සසඳන විට K-ඩොප්ඩ් ඩබ්ලිව් හි නියුට්‍රෝන-විකිරණ-ප්‍රේරිත කැළඹීම යටපත් කළ හැකි බව අපේක්ෂා කෙරේ.
අඩු හයිඩ්‍රජන් සමස්ථානික රඳවා තබා ගැනීම, අඩු ඉසින අස්වැන්නක් සහ ඉහළ ද්‍රවාංකයක් වැනි එහි අද්විතීය ගුණාංග නිසා ටංග්ස්ටන් (W) ප්ලාස්මා-මුහුණු ද්‍රව්‍ය (PFMs) අතර වඩාත්ම පොරොන්දු වූ අපේක්ෂකයෙකු ලෙස සැලකේ. කෙසේ වෙතත්, ඉහළ ductile-Brittle සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය (DBTT), අඩු උෂ්ණත්වයේ දී බිඳෙනසුලු බව සහ නියුට්‍රෝන ප්‍රකිරණය නිසා ඇති වන බිඳෙනසුලු බව වැනි අඩුපාඩු ටංස්ටන්හි ඉංජිනේරු යෙදුම්වලට බාධා වේ. ductile dopants සහිත W-පාදක මිශ්ර ලෝහවල සැලසුම් මෙම අවාසි අවම කිරීම සඳහා ඵලදායී මාධ්යයකි. පොටෑසියම් මාත්‍රණය දැනටමත් ද්විතියික ප්‍රතිස්ඵටිකීකරණය මැඩපැවැත්වීම සහ ටංස්ටන් තුනී වයර්වල 1900 °C දක්වා ධාන්ය වර්ධනය පාලනය කිරීම සඳහා එහි කාර්යක්ෂමතාව ඔප්පු කර ඇති අතර, එබැවින් ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී අසාමාන්ය ගුණාංග පෙන්වයි. පොටෑසියම්-මාත්‍රණය කරන ලද (K- මාත්‍රණය කළ) ටංස්ටන් තොග ද්‍රව්‍ය ප්ලාස්මා-මුහුණත ද්‍රව්‍ය සඳහා ද ආකර්ශනීය අපේක්ෂකයෙකු බවට පත්වේ. Sparking plasma sintering (SPS) මගින් නිපදවන ලද K-doped ටංස්ටන් හොඳ තාප සන්නායකතාවය මෙන්ම RT සිට 50 °C දක්වා උෂ්ණත්වවලදී ශක්තිමත් යාන්ත්රික ගුණ පෙන්නුම් කරන බව වාර්තා වී ඇත.
ගෙදර
